Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD97N06-6m3L_GE3
SQD97N06-6m3L_GE3

SQD97N06-6m3L_GE3 Vishay Siliconix

sqd97n06-6m3l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.22 грн
10+96.50 грн
100+71.26 грн
500+53.53 грн
1000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD97N06-6m3L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD97N06-6m3L_GE3 за ціною від 46.85 грн до 155.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD97N06-6m3L_GE3 SQD97N06-6m3L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd97n06-6m3l.pdf MOSFETs 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 68530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.55 грн
10+106.89 грн
100+68.80 грн
500+54.93 грн
1000+51.04 грн
2000+47.77 грн
4000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6m3L_GE3 Виробник : VISHAY sqd97n06-6m3l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 97A; 136W; DPAK,TO252AA; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 97A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6M3L_GE3 SQD97N06-6M3L_GE3 Виробник : Vishay sqd97n06-6m3l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 97A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD97N06-6m3L_GE3 SQD97N06-6m3L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd97n06-6m3l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.