
SQD97N06-6m3L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 53.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD97N06-6m3L_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQD97N06-6m3L_GE3 за ціною від 48.70 грн до 156.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQD97N06-6m3L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQD97N06-6m3L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 71165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQD97N06-6M3L_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |