Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ120EP-T1_GE3

SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ120EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 79757583-3
Price: 101640.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 202A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ120EP-T1_GE3 за ціною від 28.40 грн до 129.10 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJ120EP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.37 грн
500+	39.17 грн
1000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.36 грн
10+	49.63 грн
25+	44.78 грн
100+	37.05 грн
250+	34.68 грн
500+	33.25 грн
1000+	31.55 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.99 грн
11+	79.68 грн
100+	53.37 грн
500+	39.17 грн
1000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Vishay

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.10 грн
10+	80.89 грн
100+	46.87 грн
500+	38.41 грн
1000+	34.82 грн
3000+	29.53 грн
6000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	53.37 грн
500+	39.17 грн
1000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	71.36 грн
10+	49.63 грн
25+	44.78 грн
100+	37.05 грн
250+	34.68 грн
500+	33.25 грн
1000+	31.55 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	124.99 грн
11+	79.68 грн
100+	53.37 грн
500+	39.17 грн
1000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	129.10 грн
10+	80.89 грн
100+	46.87 грн
500+	38.41 грн
1000+	34.82 грн
3000+	29.53 грн
6000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.