SQJ131ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.63 грн |
| 10+ | 140.45 грн |
| 100+ | 100.19 грн |
| 500+ | 97.27 грн |
| 1000+ | 77.52 грн |
| 3000+ | 47.76 грн |
| 9000+ | 46.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ131ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -300A, Power dissipation: 500W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SQJ131ELP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ131ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ131ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -300A Power dissipation: 500W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ131ELP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ131ELP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.