SQJ136ELP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.91 грн |
| 500+ | 58.01 грн |
| 1000+ | 51.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ136ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJ136ELP-T1_GE3 за ціною від 51.78 грн до 153.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ136ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ136ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQJ136ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SQJ136ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
товару немає в наявності |