SQJ138EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 30919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.70 грн |
| 10+ | 101.53 грн |
| 100+ | 64.44 грн |
| 250+ | 64.29 грн |
| 500+ | 51.31 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| 3000+ | 41.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ138EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ138EP-T1_GE3 за ціною від 43.12 грн до 132.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJ138EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SQJ138EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|