SQJ140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.06 грн |
| 6000+ | 34.22 грн |
| 9000+ | 32.98 грн |
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Технічний опис SQJ140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 266A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 263W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ140ELP-T1_GE3 за ціною від 38.93 грн до 137.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SQJ140ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) |
на замовлення 11551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ140ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQJ140ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 31808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQJ140ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 263W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 11551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.64 грн |
| 10+ | 84.72 грн |
| 100+ | 57.12 грн |
| 500+ | 42.50 грн |
| 1000+ | 38.93 грн |
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 31808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 266A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)