SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.75 грн |
| 10+ | 100.20 грн |
| 100+ | 68.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -134A; Idm: -322A; 500W, Pulsed drain current: -322A, Power dissipation: 500W, Polarisation: unipolar, Drain current: -134A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -40V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції SQJ141ELP-T1_GE3 за ціною від 42.49 грн до 169.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 1286 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SQJ141ELP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.79 грн |
| 10+ | 106.81 грн |
| 100+ | 63.55 грн |
| 500+ | 52.73 грн |
| 1000+ | 50.53 грн |
| 3000+ | 42.93 грн |
| 6000+ | 42.49 грн |