SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.75 грн |
| 10+ | 102.05 грн |
| 100+ | 69.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ141ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -134A; Idm: -322A; 500W, Pulsed drain current: -322A, Power dissipation: 500W, Polarisation: unipolar, Drain current: -134A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -40V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції SQJ141ELP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 1286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ141ELP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)