Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ142ELP-T1_GE3
SQJ142ELP-T1_GE3

SQJ142ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj142elp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+67.97 грн
100+52.71 грн
500+38.99 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ142ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ142ELP-T1_GE3 за ціною від 30.31 грн до 106.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ142ELP-T1_GE3 SQJ142ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj142elp.pdf MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 16625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.43 грн
10+75.21 грн
100+49.51 грн
500+39.65 грн
1000+34.21 грн
3000+31.49 грн
6000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142ELP-T1_GE3 SQJ142ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj142elp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.