SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 41.16 грн |
| 500+ | 27.37 грн |
| 1000+ | 22.99 грн |
| 5000+ | 22.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.
Інші пропозиції SQJ146ELP-T1_GE3 за ціною від 21.75 грн до 99.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ146ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S) |
на замовлення 32168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ146ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm |
на замовлення 14965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQJ146ELP-T1_GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 32168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.06 грн |
| 10+ | 61.21 грн |
| 100+ | 35.28 грн |
| 500+ | 27.48 грн |
| 1000+ | 24.99 грн |
| 3000+ | 24.44 грн |
| 6000+ | 21.75 грн |
| SQJ146ELP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 14965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 99.06 грн |
| 13+ | 62.18 грн |
| 100+ | 41.16 грн |
| 500+ | 27.37 грн |
| 1000+ | 22.99 грн |
| 5000+ | 22.51 грн |