Продукція > VISHAY > SQJ146ELP-T1_GE3
SQJ146ELP-T1_GE3

SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY

3158445.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.88 грн
500+25.98 грн
1000+21.75 грн
5000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ146ELP-T1_GE3 за ціною від 19.94 грн до 93.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 32922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.82 грн
10+57.73 грн
100+35.28 грн
500+28.24 грн
1000+25.10 грн
3000+21.54 грн
6000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3158445.pdf Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.55 грн
14+58.65 грн
100+38.88 грн
500+25.98 грн
1000+21.75 грн
5000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.