SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.02 грн |
| 6000+ | 23.86 грн |
| 9000+ | 22.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQJ147ELP-T1_GE3 за ціною від 23.25 грн до 77.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 13243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 23962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 148772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 13243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQJ147ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |