Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ147ELP-T1_GE3

SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ147ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13834121-3
Price: 86700.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.90 грн
6000+	25.86 грн
9000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ147ELP-T1_GE3 за ціною від 25.30 грн до 115.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJ147ELP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.62 грн
500+	33.98 грн
1500+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0011791489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.25 грн
50+	67.92 грн
100+	45.23 грн
500+	34.44 грн
1500+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
10+	66.66 грн
100+	44.38 грн
500+	32.67 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 91438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.12 грн
10+	71.81 грн
100+	41.44 грн
500+	32.56 грн
1000+	29.67 грн
3000+	25.94 грн
6000+	25.30 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	46.62 грн
500+	33.98 грн
1500+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	105.25 грн
50+	67.92 грн
100+	45.23 грн
500+	34.44 грн
1500+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	110.22 грн
10+	66.66 грн
100+	44.38 грн
500+	32.67 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 91438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	115.12 грн
10+	71.81 грн
100+	41.44 грн
500+	32.56 грн
1000+	29.67 грн
3000+	25.94 грн
6000+	25.30 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.