Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ152ELP-T1_GE3

SQJ152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13834117-3
Price: 77460.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	25.82 грн
6000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції SQJ152ELP-T1_GE3 за ціною від 21.95 грн до 113.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQJ152ELP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.68 грн
500+	34.63 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

на замовлення 6634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.41 грн
10+	60.28 грн
100+	39.97 грн
500+	29.32 грн
1000+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.09 грн
10+	64.23 грн
100+	37.07 грн
500+	28.99 грн
1000+	26.37 грн
3000+	23.06 грн
6000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.56 грн
12+	71.84 грн
100+	47.68 грн
500+	34.63 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	47.68 грн
500+	34.63 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

на замовлення 6634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	99.41 грн
10+	60.28 грн
100+	39.97 грн
500+	29.32 грн
1000+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	103.09 грн
10+	64.23 грн
100+	37.07 грн
500+	28.99 грн
1000+	26.37 грн
3000+	23.06 грн
6000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	113.56 грн
12+	71.84 грн
100+	47.68 грн
500+	34.63 грн
1000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.