Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ158EP-T1_GE3
SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj158ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ158EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ158EP-T1_GE3 за ціною від 16.25 грн до 55.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ158EP-T1_GE3 SQJ158EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj158ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.24 грн
10+42.18 грн
100+29.21 грн
500+22.90 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 SQJ158EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj158ep.pdf MOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
на замовлення 70612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.11 грн
10+46.15 грн
100+28.37 грн
500+23.66 грн
1000+20.10 грн
3000+17.34 грн
6000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj158ep.pdf SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.