Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ160EP-T1_GE3
SQJ160EP-T1_GE3

SQJ160EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj160ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.31 грн
10+104.47 грн
100+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ160EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ160EP-T1_GE3 за ціною від 70.17 грн до 146.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ160EP-T1_GE3 SQJ160EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj160ep.pdf MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.46 грн
10+119.34 грн
100+86.35 грн
3000+72.57 грн
6000+71.55 грн
9000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj160ep.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3 SQJ160EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj160ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.