SQJ162EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 125.28 грн |
| 10+ | 86.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ162EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ162EP-T1_GE3 за ціною від 35.09 грн до 132.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ162EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ162EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ162EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ162EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |