SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.58 грн |
| 10+ | 70.44 грн |
| 100+ | 47.67 грн |
| 500+ | 45.88 грн |
| 3000+ | 38.89 грн |
| 6000+ | 38.20 грн |
| 9000+ | 37.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQJ170ELP-T1_GE3 за ціною від 37.54 грн до 91.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ170ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V |
на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJ170ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |