Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQJ170ELP-T1_GE3
SQJ170ELP-T1_GE3

SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

sqj170elp.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.87 грн
10+65.84 грн
100+44.56 грн
500+42.89 грн
3000+36.36 грн
6000+35.70 грн
9000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ170ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ170ELP-T1_GE3 за ціною від 35.09 грн до 85.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj170elp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.56 грн
10+73.55 грн
100+57.33 грн
500+44.45 грн
1000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj170elp.pdf SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj170elp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.