SQJ185ELP-T1_GE3

SQJ185ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj185elp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.81 грн
6000+36.73 грн
9000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ185ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4914 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ185ELP-T1_GE3 за ціною від 34.74 грн до 146.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ185ELP-T1_GE3 SQJ185ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj185elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.04 грн
10+92.20 грн
100+55.28 грн
500+46.91 грн
1000+42.55 грн
3000+36.08 грн
6000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1_GE3 SQJ185ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj185elp.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.37 грн
10+90.05 грн
100+60.92 грн
500+45.44 грн
1000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.