Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ186ELP-T1_GE3

SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ186ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13834115-3
Price: 82290.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	27.43 грн
6000+	24.53 грн
9000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 135W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.

Інші пропозиції SQJ186ELP-T1_GE3 за ціною від 23.61 грн до 415.59 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQJ186ELP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0018694375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.96 грн
500+	39.26 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.85 грн
10+	63.57 грн
100+	42.25 грн
500+	31.06 грн
1000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.73 грн
10+	67.72 грн
100+	39.21 грн
500+	30.72 грн
1000+	27.96 грн
3000+	24.44 грн
6000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.06 грн
10+	81.35 грн
100+	53.96 грн
500+	39.26 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	415.59 грн
10+	367.57 грн
100+	262.33 грн
500+	222.98 грн
1000+	188.46 грн
2000+	170.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	53.96 грн
500+	39.26 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	104.85 грн
10+	63.57 грн
100+	42.25 грн
500+	31.06 грн
1000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	108.73 грн
10+	67.72 грн
100+	39.21 грн
500+	30.72 грн
1000+	27.96 грн
3000+	24.44 грн
6000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	128.06 грн
10+	81.35 грн
100+	53.96 грн
500+	39.26 грн
1000+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	415.59 грн
10+	367.57 грн
100+	262.33 грн
500+	222.98 грн
1000+	188.46 грн
2000+	170.51 грн

В кошику од. на суму грн.