Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ186ELP-T1_GE3
SQJ186ELP-T1_GE3

SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj186elp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.15 грн
10+50.55 грн
100+39.34 грн
500+31.29 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SQJ186ELP-T1_GE3 за ціною від 23.30 грн до 418.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ186ELP-T1_GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj186elp.pdf MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.64 грн
10+55.58 грн
100+37.62 грн
500+31.85 грн
1000+28.79 грн
3000+24.48 грн
6000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1-GE3 SQJ186ELP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.64 грн
10+370.27 грн
100+264.25 грн
500+224.62 грн
1000+189.85 грн
2000+171.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj186elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.