Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj200ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ200EP-T1_GE3 за ціною від 38.79 грн до 94.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj200ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.63 грн
10+81.26 грн
100+63.38 грн
500+49.14 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj200ep.pdf MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001781056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001781056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 sqj200ep.pdf
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.63 грн
10+81.26 грн
100+63.38 грн
500+49.14 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 sqj200ep.pdf
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 VISH-S-A0001781056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 VISH-S-A0001781056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.