Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj202ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.41 грн
10+80.73 грн
100+62.82 грн
500+49.97 грн
1000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W, 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ202EP-T1_GE3 за ціною від 38.16 грн до 154.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ202EP-T1_GE3 SQJ202EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj202ep.pdf MOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
10+101.28 грн
100+59.37 грн
500+46.75 грн
1000+43.45 грн
3000+38.75 грн
6000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3 SQJ202EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj202ep.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3 SQJ202EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj202ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.