SQJ202EP-T2_GE3

SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix


sqj202ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.48 грн
6000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ202EP-T2_GE3 за ціною від 40.42 грн до 143.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ202EP-T2_GE3 SQJ202EP-T2_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj202ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.74 грн
10+88.31 грн
100+59.43 грн
500+44.16 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj202ep-1764137.pdf MOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.