SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix


sqj202ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.62 грн
6000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQJ202EP-T2_GE3 за ціною від 39.54 грн до 140.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ202EP-T2_GE3 SQJ202EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj202ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.62 грн
10+86.39 грн
100+58.13 грн
500+43.20 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3 sqj202ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.62 грн
10+86.39 грн
100+58.13 грн
500+43.20 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.