Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ204EP-T1_GE3
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj204ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ204EP-T1_GE3 за ціною від 38.82 грн до 141.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ204EP-T1_GE3 SQJ204EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj204ep.pdf MOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+84.23 грн
100+57.61 грн
500+48.00 грн
1000+41.54 грн
3000+39.34 грн
6000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 SQJ204EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj204ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+87.08 грн
100+58.84 грн
500+43.88 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 SQJ204EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj204ep.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.