SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ244EP-T1_GE3 за ціною від 39.20 грн до 134.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 5708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ244EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.36 грн |
| 10+ | 82.56 грн |
| 100+ | 55.80 грн |
| 500+ | 41.61 грн |
| 1000+ | 39.20 грн |
| SQJ244EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)