Продукція > VISHAY > SQJ260EP-T1_GE3
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3 VISHAY

sqj260ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155
Verlustleistung, p-Kanal: 48
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.01 грн
500+ 58.26 грн
1000+ 39.79 грн
5000+ 39.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ260EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung, p-Kanal: 48, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQJ260EP-T1_GE3 за ціною від 39.03 грн до 108.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj260ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.35 грн
10+ 91.82 грн
100+ 71.57 грн
500+ 55.48 грн
1000+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj260ep.pdf Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 48
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+108.79 грн
10+ 97.62 грн
100+ 76.01 грн
500+ 58.26 грн
1000+ 39.79 грн
5000+ 39.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj260ep-1766302.pdf MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj260ep.pdf DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товар відсутній
SQJ260EP-T1_GE3 SQJ260EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj260ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
товар відсутній