Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ401EP-T1_GE3
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj401ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.12 грн
10+ 111.89 грн
100+ 89.05 грн
500+ 70.71 грн
1000+ 59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ401EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SQJ401EP-T1_GE3 за ціною від 54.2 грн до 140.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj401ep.pdf MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.27 грн
10+ 115.35 грн
100+ 79.71 грн
250+ 73.73 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 57.06 грн
3000+ 54.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj992ep.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj401ep.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ401EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj992ep.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj401ep.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
товар відсутній