Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

sqj402ep.pdf
Код товару: 155826
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ402EP-T1_GE3 за ціною від 37.67 грн до 166.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj402ep.pdf Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.42 грн
500+50.04 грн
1000+44.79 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+85.51 грн
159+81.68 грн
250+78.40 грн
500+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0019261064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.84 грн
10+82.34 грн
100+71.42 грн
500+50.04 грн
1000+44.79 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj402ep.pdf MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.77 грн
10+85.99 грн
100+60.73 грн
500+48.22 грн
1000+46.12 грн
3000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.67 грн
10+102.66 грн
100+69.90 грн
500+52.42 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.