SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 25812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.46 грн |
| 10+ | 104.76 грн |
| 100+ | 61.16 грн |
| 500+ | 48.69 грн |
| 1000+ | 45.70 грн |
| 3000+ | 40.04 грн |
| 6000+ | 39.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_BE3 за ціною від 45.69 грн до 153.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

