SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.92 грн |
| 10+ | 92.47 грн |
| 100+ | 62.70 грн |
| 500+ | 46.88 грн |
| 1000+ | 44.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_BE3 за ціною від 38.95 грн до 144.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 25812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
