SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.68 грн |
| 10+ | 89.17 грн |
| 100+ | 60.47 грн |
| 500+ | 45.20 грн |
| 1000+ | 43.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ403BEEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 25802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ403BEEP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)