Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ403BEEP-T1_BE3
SQJ403BEEP-T1_BE3

SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj403beep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.99 грн
10+ 82.06 грн
100+ 63.81 грн
500+ 50.75 грн
1000+ 41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_BE3 за ціною від 37.65 грн до 110.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ403BEEP-T1_BE3 SQJ403BEEP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj403beep.pdf MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.54 грн
1000+ 41.99 грн
3000+ 39.46 грн
6000+ 37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ403BEEP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQJ403BEEP-T1_BE3 SQJ403BEEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
товар відсутній