Продукція > VISHAY > SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay


sqj403beep.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_GE3 за ціною від 43.15 грн до 144.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.22 грн
10+77.36 грн
25+77.02 грн
100+65.80 грн
250+60.61 грн
500+53.11 грн
1000+50.44 грн
3000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.68 грн
10+89.17 грн
100+60.47 грн
500+45.20 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj403beep.pdf MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+84.22 грн
10+77.36 грн
25+77.02 грн
100+65.80 грн
250+60.61 грн
500+53.11 грн
1000+50.44 грн
3000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.68 грн
10+89.17 грн
100+60.47 грн
500+45.20 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.