Продукція > VISHAY > SQJ403BEEP-T1_GE3
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay

sqj403beep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_GE3 за ціною від 36.22 грн до 146.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+83.09 грн
10+76.33 грн
25+75.99 грн
100+64.92 грн
250+59.80 грн
500+52.40 грн
1000+49.76 грн
3000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj403beep.pdf MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.11 грн
10+88.80 грн
100+45.21 грн
500+44.09 грн
1000+41.91 грн
3000+36.36 грн
6000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.10 грн
10+90.04 грн
100+61.06 грн
500+45.65 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.