SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 59.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_GE3 за ціною від 40.16 грн до 149.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 68W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30A Power dissipation: 68W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |


