Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJ403EP-T1_GE3
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj403ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 21440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.71 грн
10+109.21 грн
100+64.87 грн
500+54.88 грн
1000+48.60 грн
3000+46.02 грн
6000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ403EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQJ403EP-T1_GE3 за ціною від 50.06 грн до 143.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ403EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj403ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj403ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+95.84 грн
100+72.61 грн
500+54.46 грн
1000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3 sqj403ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3 sqj403ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.76 грн
10+95.84 грн
100+72.61 грн
500+54.46 грн
1000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.