Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ407EP-T1_GE3
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj407ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ407EP-T1_GE3 за ціною від 37.05 грн до 126.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.90 грн
6000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.37 грн
500+55.37 грн
1000+39.26 грн
5000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj407ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.03 грн
10+83.59 грн
100+59.52 грн
500+44.38 грн
1000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.75 грн
10+95.77 грн
100+70.37 грн
500+55.37 грн
1000+39.26 грн
5000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj407ep.pdf MOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 52120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
10+94.76 грн
100+61.76 грн
500+49.07 грн
1000+44.32 грн
3000+39.79 грн
6000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3 SQJ407EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj407ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.