на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 117.05 грн |
| 10+ | 95.27 грн |
| 100+ | 64.60 грн |
| 500+ | 54.80 грн |
| 1000+ | 44.61 грн |
| 2500+ | 43.17 грн |
| 5000+ | 39.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ409EP-T1_BE3 Vishay
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQJ409EP-T1_BE3 за ціною від 46.92 грн до 118.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
P Channel Trans MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SQJ409EP-T1-BE3 | Виробник : Vishay | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C |
товару немає в наявності |

