на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.72 грн |
| 10+ | 82.8 грн |
| 100+ | 56.14 грн |
| 500+ | 47.62 грн |
| 1000+ | 38.77 грн |
| 2500+ | 37.52 грн |
| 5000+ | 34.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ409EP-T1_BE3 Vishay
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQJ409EP-T1_BE3 за ціною від 40.77 грн до 102.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
P Channel Trans MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -60A; Idm: -150A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -60A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 68W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SQJ409EP-T1-BE3 | Виробник : Vishay | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -60A; Idm: -150A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -60A Pulsed drain current: -150A Power dissipation: 68W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |