SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj409ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.81 грн
6000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ409EP-T1_GE3 за ціною від 33.58 грн до 133.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.43 грн
6000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.72 грн
500+56.57 грн
1500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+106.85 грн
10+86.85 грн
100+67.26 грн
500+54.59 грн
1000+40.89 грн
3000+36.33 грн
6000+34.36 грн
9000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj409ep.pdf MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 73364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.25 грн
10+95.69 грн
100+64.30 грн
500+54.54 грн
1000+44.40 грн
3000+41.75 грн
6000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj409ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.92 грн
10+89.43 грн
100+60.92 грн
500+45.52 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj409ep.pdf Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.22 грн
50+100.98 грн
100+72.72 грн
500+56.57 грн
1500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.