Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ411EP-T1_GE3
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj411ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.63 грн
10+72.72 грн
100+56.53 грн
500+44.96 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SQJ411EP-T1_GE3 за ціною від 34.32 грн до 102.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj411ep.pdf MOSFETs -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.44 грн
10+85.95 грн
100+50.00 грн
500+40.35 грн
1000+38.68 грн
3000+35.27 грн
6000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj411ep.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj411ep.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj411ep.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj411ep.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.