SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 76.88 грн |
| 6000+ | 71.25 грн |
| 9000+ | 68.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції SQJ412EP-T1_GE3 за ціною від 67.45 грн до 176.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 24798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ412EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.86 грн |
| 10+ | 136.41 грн |
| 100+ | 108.55 грн |
| 500+ | 86.20 грн |
| 1000+ | 73.14 грн |
| SQJ412EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.38 грн |
| 10+ | 143.69 грн |
| 100+ | 100.10 грн |
| 250+ | 92.51 грн |
| 500+ | 83.53 грн |
| 1000+ | 71.80 грн |
| 3000+ | 67.45 грн |
| SQJ412EP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJ412EP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)