Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ412EP-T1_GE3
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj412ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.45 грн
6000+71.78 грн
9000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQJ412EP-T1_GE3 за ціною від 67.94 грн до 177.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.11 грн
10+137.41 грн
100+109.35 грн
500+86.83 грн
1000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj412ep.pdf MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.68 грн
10+144.75 грн
100+100.83 грн
250+93.18 грн
500+84.14 грн
1000+72.32 грн
3000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.