Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ412EP-T1_GE3
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj412ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+78.38 грн
6000+72.64 грн
9000+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ412EP-T1_GE3 за ціною від 72.97 грн до 266.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.20 грн
10+139.07 грн
100+110.67 грн
500+87.88 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj412ep.pdf MOSFETs 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+266.26 грн
10+132.96 грн
100+102.85 грн
500+84.83 грн
1000+81.08 грн
3000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.20 грн
10+139.07 грн
100+110.67 грн
500+87.88 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.26 грн
10+132.96 грн
100+102.85 грн
500+84.83 грн
1000+81.08 грн
3000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.