SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 77.71 грн |
| 6000+ | 72.02 грн |
| 9000+ | 69.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ412EP-T1_GE3 за ціною від 70.90 грн до 185.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ412EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ412EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ412EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ412EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SQJ412EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ412EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |