Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ415EP-T1_GE3
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj415ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ415EP-T1_GE3 за ціною від 23.93 грн до 92.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.30 грн
500+37.34 грн
1000+26.31 грн
5000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.88 грн
11+58.49 грн
25+58.04 грн
50+54.05 грн
100+40.86 грн
250+38.99 грн
500+33.34 грн
1000+25.41 грн
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj415ep.pdf MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+61.17 грн
100+41.36 грн
500+35.12 грн
1000+28.59 грн
3000+26.85 грн
6000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.66 грн
13+66.10 грн
100+47.30 грн
500+37.34 грн
1000+26.31 грн
5000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj415ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.63 грн
10+62.21 грн
100+43.97 грн
500+33.80 грн
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.