SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ415EP-T1_GE3 за ціною від 25.65 грн до 82.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 6118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQJ415EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |