Продукція > VISHAY > SQJ415EP-T1_GE3
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3 Vishay

sqj415ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+31.31 грн
398+31.16 грн
400+31.02 грн
401+29.77 грн
500+27.43 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ415EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ415EP-T1_GE3 за ціною від 26.19 грн до 82.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+33.69 грн
22+33.54 грн
25+33.38 грн
100+32.05 грн
250+29.53 грн
500+28.21 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj415ep.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.56 грн
500+36.80 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj415ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.78 грн
10+48.75 грн
100+39.02 грн
500+31.50 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj415ep.pdf MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.64 грн
10+56.69 грн
100+38.50 грн
500+33.52 грн
1000+28.84 грн
3000+27.03 грн
6000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj415ep.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.82 грн
15+58.35 грн
100+45.56 грн
500+36.80 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj415ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.