Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ420EP-T1_GE3
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj420ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+48.39 грн
100+37.66 грн
500+29.96 грн
1000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ420EP-T1_GE3 за ціною від 22.53 грн до 84.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj420ep.pdf MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.42 грн
10+55.79 грн
100+33.83 грн
500+29.36 грн
1000+25.10 грн
3000+23.12 грн
6000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj420ep.pdf Automotive N-Channel 40 V D-S 175 C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj420ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.