SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 48.78 грн |
| 6000+ | 44.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQJ422EP-T1_BE3 за ціною від 46.83 грн до 118.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ422EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.09 грн |
| 10+ | 92.93 грн |
| 100+ | 72.27 грн |
| 500+ | 57.49 грн |
| 1000+ | 46.83 грн |
| SQJ422EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)