Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ422EP-T1_BE3
SQJ422EP-T1_BE3

SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj422ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.02 грн
6000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SQJ422EP-T1_BE3 за ціною від 41.89 грн до 141.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ422EP-T1_BE3 SQJ422EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj422ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.51 грн
10+97.20 грн
100+75.58 грн
500+60.12 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 SQJ422EP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj422ep.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.15 грн
10+105.22 грн
100+63.89 грн
500+50.96 грн
1000+48.39 грн
3000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj422ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj422ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 Виробник : VISHAY sqj422ep.pdf SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.