Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ422EP-T1_BE3
SQJ422EP-T1_BE3

SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj422ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.46 грн
6000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJ422EP-T1_BE3 за ціною від 39.05 грн до 131.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ422EP-T1_BE3 SQJ422EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj422ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.73 грн
10+94.22 грн
100+73.27 грн
500+58.28 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 SQJ422EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix sqj422ep.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.57 грн
10+98.08 грн
100+59.56 грн
500+47.51 грн
1000+45.11 грн
3000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
SQJ422EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.73 грн
10+94.22 грн
100+73.27 грн
500+58.28 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
SQJ422EP-T1_BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.57 грн
10+98.08 грн
100+59.56 грн
500+47.51 грн
1000+45.11 грн
3000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.