Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ431AEP-T1_BE3
SQJ431AEP-T1_BE3

SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj431aep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ431AEP-T1_BE3 за ціною від 46.73 грн до 178.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ431AEP-T1_BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.25 грн
10+90.41 грн
100+71.93 грн
500+57.12 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj431aep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.63 грн
10+115.16 грн
100+71.04 грн
250+67.27 грн
500+55.88 грн
1000+51.67 грн
3000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : VISHAY sqj431aep.pdf SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.