Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ431AEP-T1_BE3
SQJ431AEP-T1_BE3

SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj431aep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJ431AEP-T1_BE3 за ціною від 45.90 грн до 159.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ431AEP-T1_BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj431aep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.02 грн
10+102.36 грн
100+62.17 грн
500+49.51 грн
1000+48.40 грн
3000+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.60 грн
10+98.77 грн
100+67.33 грн
500+50.55 грн
1000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.