SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJ431AEP-T1_GE3 за ціною від 47.68 грн до 165.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 40592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ431AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |