Продукція > VISHAY > SQJ431AEP-T1_GE3
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay

sqj431aep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ431AEP-T1_GE3 за ціною від 45.10 грн до 191.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj431aep.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.17 грн
500+64.20 грн
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj431aep.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 33102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.21 грн
10+114.77 грн
100+68.11 грн
500+54.24 грн
1000+50.28 грн
3000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj431aep.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.44 грн
10+127.34 грн
100+87.17 грн
500+64.20 грн
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.