Продукція > VISHAY > SQJ431AEP-T1_GE3
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay

sqj431aep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ431AEP-T1_GE3 за ціною від 42.62 грн до 125.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2687549.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.39 грн
500+ 61.3 грн
1000+ 42.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj431aep.pdf MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 28482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.82 грн
10+ 92.67 грн
100+ 66.71 грн
250+ 64.53 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 46.9 грн
3000+ 44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2687549.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.22 грн
10+ 94.1 грн
100+ 72.39 грн
500+ 61.3 грн
1000+ 42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
товар відсутній
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній