SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ431EP-T1_GE3 за ціною від 55.17 грн до 206.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 38789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQJ431EP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2707 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SQJ431EPT1-GE3 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3 |
товару немає в наявності |