Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ443EP-T1_BE3
SQJ443EP-T1_BE3

SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj443ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+76.33 грн
100+59.36 грн
500+47.22 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ443EP-T1_BE3 за ціною від 38.40 грн до 119.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ443EP-T1_BE3 SQJ443EP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj443ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.30 грн
10+88.83 грн
100+58.78 грн
500+46.64 грн
1000+41.64 грн
3000+40.32 грн
6000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3 SQJ443EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj443ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj443ep.pdf SQJ443EP-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3 SQJ443EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj443ep.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.