Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ444EP-T1_GE3
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj444ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Package / Case: PowerPAK® SO-8.

Інші пропозиції SQJ444EP-T1_GE3 за ціною від 32.63 грн до 92.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ444EP-T1_GE3 SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj444ep.pdf MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 47713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.05 грн
10+68.41 грн
100+47.72 грн
500+41.73 грн
1000+35.73 грн
3000+33.62 грн
6000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3 SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj444ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+72.84 грн
100+56.66 грн
500+45.07 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj444ep-1019488.pdf MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 47713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.05 грн
10+68.41 грн
100+47.72 грн
500+41.73 грн
1000+35.73 грн
3000+33.62 грн
6000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+72.84 грн
100+56.66 грн
500+45.07 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3 sqj444ep-1019488.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.