Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ457EP-T1_BE3
SQJ457EP-T1_BE3

SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj457ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.24 грн
6000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_BE3 за ціною від 24.09 грн до 119.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.56 грн
296+41.70 грн
500+35.09 грн
1000+31.38 грн
3000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.95 грн
13+55.24 грн
100+44.68 грн
500+36.26 грн
1000+31.13 грн
3000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 117077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.07 грн
10+57.60 грн
100+37.09 грн
500+30.33 грн
1000+27.82 грн
3000+24.47 грн
6000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.21 грн
10+72.13 грн
100+48.00 грн
500+35.33 грн
1000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf 60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.