SQJ457EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.42 грн |
| 10+ | 70.42 грн |
| 100+ | 40.71 грн |
| 500+ | 31.98 грн |
| 1000+ | 29.12 грн |
| 3000+ | 25.49 грн |
| 6000+ | 24.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ457EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ457EP-T1_BE3 за ціною від 63.34 грн до 63.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
 60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори |
на замовлення 42 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| SQJ457EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори
60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори
на замовлення 42 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.34 грн |