Продукція > VISHAY > SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay

sqj457ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 23.62 грн до 94.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.08 грн
6000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.10 грн
9000+26.44 грн
24000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.23 грн
500+36.42 грн
1000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+65.85 грн
189+65.20 грн
251+49.23 грн
253+46.99 грн
500+34.07 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.11 грн
10+55.66 грн
100+42.74 грн
500+31.38 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 81766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.39 грн
10+62.06 грн
100+41.04 грн
500+32.07 грн
1000+27.44 грн
3000+24.32 грн
6000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.08 грн
13+68.89 грн
100+52.18 грн
500+37.84 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+94.10 грн
10+70.55 грн
25+69.86 грн
100+50.87 грн
250+46.62 грн
500+35.05 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.