Продукція > VISHAY > SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay

sqj457ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 23.73 грн до 94.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.89 грн
6000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.23 грн
9000+26.57 грн
24000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.83 грн
500+37.59 грн
1000+33.17 грн
5000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+66.16 грн
189+65.51 грн
251+49.47 грн
253+47.22 грн
500+34.24 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.58 грн
10+55.28 грн
100+42.45 грн
500+31.17 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 81766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.81 грн
10+61.64 грн
100+40.76 грн
500+31.86 грн
1000+27.25 грн
3000+24.16 грн
6000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.46 грн
13+68.42 грн
100+51.83 грн
500+37.59 грн
1000+33.17 грн
5000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+94.55 грн
10+70.89 грн
25+70.19 грн
100+51.11 грн
250+46.84 грн
500+35.21 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.