SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj457ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.89 грн
6000+25.85 грн
9000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 24.78 грн до 92.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.39 грн
199+61.77 грн
263+46.65 грн
266+44.51 грн
500+34.62 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.16 грн
500+59.31 грн
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.73 грн
11+57.94 грн
25+57.36 грн
100+41.77 грн
250+38.27 грн
500+30.86 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.34 грн
10+52.14 грн
100+40.70 грн
500+31.70 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 133140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.93 грн
10+63.37 грн
100+42.86 грн
500+35.36 грн
1000+28.78 грн
3000+27.86 грн
6000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.72 грн
14+63.36 грн
100+46.70 грн
500+40.98 грн
1000+35.62 грн
5000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.