Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ457EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6708894-3
Price: 83190.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 24.95 грн до 118.41 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJ457EP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0014407225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.12 грн
500+	41.00 грн
1000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	53.82 грн
266+	53.28 грн
311+	45.54 грн
317+	43.06 грн
500+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 263 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.15 грн
15+	53.82 грн
25+	53.28 грн
100+	43.92 грн
250+	39.87 грн
500+	28.43 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.63 грн
10+	66.05 грн
100+	43.97 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.59 грн
10+	71.09 грн
100+	42.78 грн
500+	33.55 грн
1000+	31.22 грн
3000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.41 грн
11+	74.99 грн
100+	53.12 грн
500+	41.00 грн
1000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	53.12 грн
500+	41.00 грн
1000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
263+	53.82 грн
266+	53.28 грн
311+	45.54 грн
317+	43.06 грн
500+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 263 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	64.15 грн
15+	53.82 грн
25+	53.28 грн
100+	43.92 грн
250+	39.87 грн
500+	28.43 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	108.63 грн
10+	66.05 грн
100+	43.97 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	117.59 грн
10+	71.09 грн
100+	42.78 грн
500+	33.55 грн
1000+	31.22 грн
3000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	118.41 грн
11+	74.99 грн
100+	53.12 грн
500+	41.00 грн
1000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.