Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ457EP-T2_GE3
SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

sqj457ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.71 грн
6000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ457EP-T2_GE3 за ціною від 25.89 грн до 117.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ457EP-T2_GE3 SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.76 грн
10+66.25 грн
100+44.11 грн
500+32.47 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 SQJ457EP-T2_GE3 Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+117.74 грн
10+73.76 грн
100+42.64 грн
500+33.49 грн
1000+30.50 грн
3000+26.69 грн
6000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.PDF P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 100 @ 10 B, Rds = 25 мОм @ 10 A, 10 B, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Очікується:
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.76 грн
10+66.25 грн
100+44.11 грн
500+32.47 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.74 грн
10+73.76 грн
100+42.64 грн
500+33.49 грн
1000+30.50 грн
3000+26.69 грн
6000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T2_GE3 sqj457ep.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 100 @ 10 B, Rds = 25 мОм @ 10 A, 10 B, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Очікується:
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.