Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ459EP-T2_GE3
SQJ459EP-T2_GE3

SQJ459EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

sqj459ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ459EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SQJ459EP-T2_GE3 за ціною від 36.25 грн до 99.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ459EP-T2_GE3 SQJ459EP-T2_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.81 грн
10+71.91 грн
100+55.94 грн
500+44.50 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 SQJ459EP-T2_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj459ep.pdf MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.69 грн
10+80.94 грн
100+54.64 грн
500+46.32 грн
1000+37.78 грн
3000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.