SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.56 грн |
| 10+ | 96.09 грн |
| 100+ | 64.66 грн |
| 500+ | 54.88 грн |
| 1000+ | 44.64 грн |
| 3000+ | 42.91 грн |
| 6000+ | 40.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ460AEP-T1_GE3 за ціною від 43.91 грн до 131.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ460AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ460AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SQJ460AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQJ460AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |