Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ465EP-T1_GE3
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj465ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.12 грн
6000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ465EP-T1_GE3 за ціною від 36.59 грн до 166.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.00 грн
500+70.88 грн
1500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.84 грн
10+64.31 грн
50+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.11 грн
10+72.61 грн
100+56.47 грн
500+44.92 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.57 грн
10+97.27 грн
100+75.69 грн
500+61.90 грн
1000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.04 грн
50+105.23 грн
100+85.00 грн
500+70.88 грн
1500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj465ep.pdf MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.75 грн
10+105.32 грн
100+62.65 грн
500+49.75 грн
1000+45.72 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj465ep.pdf MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj465ep-1764892.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.