Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ465EP-T1_GE3
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj465ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.63 грн
6000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJ465EP-T1_GE3 за ціною від 37.09 грн до 169.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.15 грн
500+71.84 грн
1500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.07 грн
10+65.18 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+73.60 грн
100+57.24 грн
500+45.53 грн
1000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.17 грн
50+106.66 грн
100+86.15 грн
500+71.84 грн
1500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj465ep.pdf MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.02 грн
10+106.75 грн
100+63.50 грн
500+50.42 грн
1000+46.34 грн
3000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+86.15 грн
500+71.84 грн
1500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+92.07 грн
10+65.18 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.36 грн
10+73.60 грн
100+57.24 грн
500+45.53 грн
1000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.17 грн
50+106.66 грн
100+86.15 грн
500+71.84 грн
1500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.02 грн
10+106.75 грн
100+63.50 грн
500+50.42 грн
1000+46.34 грн
3000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.