Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ465EP-T1_GE3
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj465ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.67 грн
6000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ465EP-T1_GE3 за ціною від 36.16 грн до 175.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.77 грн
10+63.55 грн
50+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
10+71.75 грн
100+55.80 грн
500+44.39 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.25 грн
10+99.47 грн
100+77.40 грн
500+63.30 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj465ep.pdf MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+175.76 грн
10+84.94 грн
100+66.04 грн
500+52.44 грн
1000+50.97 грн
3000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
261+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.77 грн
10+63.55 грн
50+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.02 грн
10+71.75 грн
100+55.80 грн
500+44.39 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.25 грн
10+99.47 грн
100+77.40 грн
500+63.30 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.76 грн
10+84.94 грн
100+66.04 грн
500+52.44 грн
1000+50.97 грн
3000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.