Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ469EP-T1_GE3
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj469ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+90.34 грн
6000+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ469EP-T1_GE3 за ціною від 83.7 грн до 228.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614556.pdf Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 17794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+148.29 грн
500+ 116.94 грн
1000+ 91.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj469ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.1 грн
10+ 150.01 грн
100+ 121.39 грн
500+ 101.26 грн
1000+ 86.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj469ep.pdf MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.49 грн
10+ 167.29 грн
100+ 117.57 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 89.67 грн
3000+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614556.pdf Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 17794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+228.02 грн
10+ 169.15 грн
100+ 148.29 грн
500+ 116.94 грн
1000+ 91.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ469EP-T1-GE3 SQJ469EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній