Продукція > VISHAY > SQJ469EP-T1_GE3
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3 Vishay

sqj469ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ469EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ469EP-T1_GE3 за ціною від 89.19 грн до 258.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614556.pdf Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.57 грн
500+111.12 грн
1000+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj469ep.pdf Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 28975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+204.33 грн
10+174.21 грн
100+132.69 грн
500+105.83 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj469ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.88 грн
10+160.70 грн
100+119.48 грн
500+96.02 грн
1000+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj469ep.pdf MOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.22 грн
10+181.92 грн
25+142.23 грн
100+121.19 грн
250+111.75 грн
500+104.50 грн
1000+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1-GE3 SQJ469EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj469ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj469ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.