Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ474EP-T1_GE3
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj474ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.64 грн
6000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ474EP-T1_GE3 за ціною від 25.04 грн до 83.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj474ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.99 грн
10+59.92 грн
100+40.56 грн
500+34.32 грн
1000+28.01 грн
3000+26.34 грн
6000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj474ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.21 грн
10+54.05 грн
100+37.60 грн
500+28.36 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3 SQJ474EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj474ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.