SQJ476EP-T1_GE3 Vishay
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ476EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJ476EP-T1_GE3 за ціною від 22.79 грн до 101.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 13250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 13250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ476EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 17150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|