Продукція > VISHAY > SQJ476EP-T1_GE3
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3 Vishay

sqj476ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.76 грн
6000+22.02 грн
9000+21.32 грн
24000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ476EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ476EP-T1_GE3 за ціною від 20.71 грн до 92.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj476ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.73 грн
6000+21.18 грн
9000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.54 грн
6000+23.73 грн
9000+22.98 грн
24000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+38.61 грн
317+38.45 грн
383+31.79 грн
386+30.48 грн
500+24.98 грн
1000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006520.pdf Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.64 грн
500+29.33 грн
1000+24.49 грн
5000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj476ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.88 грн
17+35.85 грн
25+35.71 грн
100+28.47 грн
250+26.20 грн
500+22.27 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj476ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.93 грн
10+51.48 грн
100+35.32 грн
500+27.01 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006520.pdf Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.54 грн
15+57.80 грн
100+39.64 грн
500+29.33 грн
1000+24.49 грн
5000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj476ep.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 17150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+59.00 грн
100+35.19 грн
500+28.08 грн
1000+25.40 грн
3000+22.86 грн
6000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj476ep.pdf SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.